поиск книг
книги
Поддержать
Войти
Войти
авторизованным пользователям доступны:
персональные рекомендации
Telegram бот
история скачиваний
отправить на Email или Kindle
управление подборками
сохранение в избранное
Личное
Запросы книг
Изучение
Z-Recommend
Подборки книг
Самые популярные
Категории
Участие
Поддержать
Загрузки
Litera Library
Пожертвовать бумажные книги
Добавить бумажные книги
Search paper books
Мой LITERA Point
Поиск ключевых слов
Main
Поиск ключевых слов
search
1
Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures
Elsevier, Academic Press
S.C. Jain and M. Willander (Eds.)
layers
layer
strained
strain
values
shown
devices
figure
dislocations
electron
technology
mobility
boron
grown
current
phys
substrate
effect
observed
thickness
quantum
transistors
dislocation
growth
doping
gate
temperature
appl
diffusion
alloys
device
calculated
silicon
hbts
fabricated
semiconductors
ghz
doped
resistance
hbt
noise
optical
collector
sil_
bandgap
oxide
peak
surface
increases
voltage
Год:
2003
Язык:
english
Файл:
PDF, 16.07 MB
Ваши теги:
0
/
0
english, 2003
1
Перейдите по
этой ссылке
или найдите бота "@BotFather" в Telegram
2
Отправьте команду /newbot
3
Укажите имя для вашего бота
4
Укажите имя пользователя для бота
5
Скопируйте последнее сообщение от BotFather и вставьте его сюда
×
×